Модуль памяти OCZ OCZ3RPX1333EB4GK

Модуль памяти OCZ OCZ3RPX1333EB4GK

Главные особенности модуля памяти OCZ OCZ3RPX1333EB4GK

DDR3 1333 (PC 10666) DIMM 240-контактный, 2×2 Гб, буферизованная, 1.85 В, CL 6

Описание модуля памяти OCZ OCZ3RPX1333EB4GK

Тип модуля
DDR3
Емкость
2 модуля по 2048 Мб
Свойства
CAS Latency (CL): 6
RAS to CAS Delay (tRCD): 5
Row Precharge Delay (tRP): 5
Activate to Precharge Delay (tRAS): 18

Надежность
поддержка технологии Extended Voltage Protection
Технические свойства модуля памяти OCZ OCZ3RPX1333EB4GK

Дополнительная информация: поддержка технологии Extended Voltage Protection
Форм-фактор: DIMM 240-контактный
Объем: 2 модуля по 2 Гб
Тип памяти: DDR3
Тактовая частота: 1333 МГц
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Пропускная способность: 10666 Мб/с
CAS Latency (CL): 6
RAS to CAS Delay (tRCD): 5
Row Precharge Delay (tRP): 5
Activate to Precharge Delay (tRAS): 18
Напряжение питания: 1.85 В
Радиатор: есть

Похожее: Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий

Вы должны быть авторизованы, чтобы разместить комментарий.